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本发明公开了一种基于立方氮化硼(c‑BN)单晶材料的肖特基二极管，其制备方法包括以下步骤：将清洗后的块状c‑BN单晶四周用胶带覆盖住，只漏出待镀电极的区域，在块状c‑BN单晶一侧表面沉积Au金属电极，然后撕下胶带；在手套箱中把锂片表面氧化层...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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