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一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。沟槽栅碳化硅MOSFET由于沟槽栅氧底部拐角的界面电场集中，以及栅氧的高界面态，导致器件在运行过程中栅氧层易产生击穿失效，大幅影响着器件的使用可靠性。本发明在沟槽栅...
该专利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州扬杰电子科技股份有限公司授权不得商用。

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