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本发明提供一种栅极结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：在半导体衬底表面形成有栅极多晶硅层；在所述栅极多晶硅层上形成硬膜层；在硬膜层表面形成硼掺杂层；对所述半导体衬底进行磷离子注入；将栅极结构图形转移至硼掺杂层和硬膜层；以硼掺杂层和硬膜层为...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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