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本发明揭示了一种减小ＬＤＤ光刻制程中硅凹陷的方法，包括：在沉积光阻层之前沉积一牺牲性氧化层，该牺牲性氧化层至少覆盖无法被后续的光阻层所覆盖的有源区；该牺牲性氧化层在ＬＤＤ光刻制程中进行湿法刻蚀的过程中，防止有源区硅层的损伤；移除剩余的牺牲性...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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