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本发明公开了一种自对准硅化物工艺的监控方法，涉及半导体领域的检测工艺。所述监控方法是在形成有金属硅化物的源漏极区施加正向电压，测量源漏极区的正向导通电流；然后判断测量的正向导通电流是否在允许值范围内，若前者超出后者，则说明自对准硅化物工艺存...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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