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本发明涉及一种具备结温监测能力的GaN智能功率芯片，包括：二维电子气结构、第一隔离凹槽、第二隔离凹槽、横向功率器件、欧姆接触结构、温度传感器二极管，其中，第一隔离凹槽和第二隔离凹槽设置在二维电子气结构中，将二维电子气结构中的二维电子气沟道隔...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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