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本发明提供一种改善N型重掺轴向电阻率分布均匀性的直拉单晶硅方法,涉及单晶硅拉晶技术领域,在掺杂N型掺杂剂等径拉晶过程中,根据预定拉速曲线进行晶棒等径拉制,且单晶炉内氩气流量保持在恒定范围内,使得等径拉制过程中,随着等径长度的增加,拉速逐渐降...该专利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种改善N型重掺轴向电阻率分布均匀性的直拉单晶硅方法,涉及单晶硅拉晶技术领域,在掺杂N型掺杂剂等径拉晶过程中,根据预定拉速曲线进行晶棒等径拉制,且单晶炉内氩气流量保持在恒定范围内,使得等径拉制过程中,随着等径长度的增加,拉速逐渐降...