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本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：自下而上依次堆叠的漏极金属、N+衬底和N‑漂移层和源极金属；N‑漂移层的上表面有至少一个凹槽，在凹槽的两侧形成两个凸台；凹槽的下方有P阱，...
该专利属于河北博威集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北博威集成电路有限公司授权不得商用。

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