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本发明涉及一种GaN基发光芯片外延层及其制作方法、发光芯片，GaN基发光芯片外延层的发光层由沿生长方向生长的第一发光子层和第二发光子层组成，结构简单且成本低；第一发光子层包括沿生长方向生长的第一量子垒子层和第一量子阱子层；第二发光子层包括沿...
该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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