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本发明公开了一种不对称沟槽型碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法，包括设于所述第一导电类型碳化硅外延层中部上方且贯穿所述第一导电类型源区并将所述第一导电类型源区分成两部分的栅沟槽；设于所述栅沟槽两侧壁与底部的栅介质层；设于所述栅沟槽之中且...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

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