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本发明公开了一种硅基导体材料离子注入的跨尺度模拟方法，包括以下步骤：S1.构建硅基导体材料的原子尺度模型；S2.建立离子注入的宏观尺度物理模型；S3.模拟离子与硅基导体材料的相互作用过程；S4.建立跨尺度模型；S5.模拟离子注入后硅基导体材...
该专利属于苏州飞氘科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州飞氘科技有限公司授权不得商用。

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