温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明属于半导体材料技术领域，具体的说是提高籽晶径向均匀的高质量晶体生长方法，包括以下步骤：S1、将原料、石墨环、绝热层依次放入反应容器内；S2、将籽晶小心放入对应尺寸籽晶固定结构和导热柱中间并固定，整体通过反应容器顶部固定在坩埚上方；此装...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。