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本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：位于漂移层中保护单元，包括：第一外延保护层，包围栅极结构的侧壁和底面；以及第二掺杂保护层，位于第一外延保护层朝向半导体衬底层的一侧且与第一外延保护层接触，第二掺杂保护层的导电类型...
该专利属于清纯半导体（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清纯半导体（宁波）有限公司授权不得商用。

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