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本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，属于碳化硅半导体器件状态监测领域。其技术方案为：一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，包括以下步骤：构建综合考虑封装寄生参数的碳化硅MOSFET开关特性分析模型；根据...
该专利属于华北电力大学所有，仅供学习研究参考，未经过华北电力大学授权不得商用。

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