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本发明涉及一种阱层垒层之间插入超晶格的外延结构、生长方法及二极管，属于LED半导体技术领域；外延结构包括多量子阱层，所述多量子阱层包括InGaN阱层与GaN垒层交替层叠的周期性结构，各InGaN阱层与GaN垒层之间插入BInGaN和ALIn...
该专利属于湖南蓝芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南蓝芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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