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本发明公开了一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法，电阻式存储器包括：第一电极部；转换层，转换层设置于第一电极部的一侧且与第一电极部相接触；第二电极部，第二电极部设置于转换层背离第一电极部的一侧，第二电极部朝向转换层的一侧设置有第一导电层...
该专利属于昕原半导体(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昕原半导体(上海)有限公司授权不得商用。

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