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本发明公开了一种ＩｎＳｂ超晶格纳米线的制备方法，其特征是在孔洞均匀一致的氧化铝模板上，利用脉冲电化学沉积的方法，制备得到ＩｎＳｂ／ＩｎｘＳｂ１－ｘ（ｘ＝０．２－０．６）超晶格纳米线。本发明制备方法简单，控制操作方便，易于推广。...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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