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本申请提供一种深孔外延填充的方法及深孔外延结构，其中在外延填充方法中，先采用选择性生长工艺在深孔中形成一定厚度的第二外延层；然后刻蚀部分第二外延层以修正深孔形貌；接着降低工艺腔室中的压力，以使工艺腔室内外产生压差来抽除深孔中残留的刻蚀气体，...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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