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本发明公开了一种薄异质结的柔性有机场效应晶体管存储器，包括由下到上依次设置的衬底、栅电极、栅电极绝缘层、驻极体层、超薄p‑n异质结有机半导体层、有源层和源漏电极，整体结构属于底栅顶接触结构，源电极和漏电极之间为有机半导体导电沟道，超薄p‑n...
该专利属于青岛大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛大学授权不得商用。

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