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本发明公开了一种具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS HEMT器件，主要解决现有同类器件功耗和导通电阻过大的问题。其包括衬底、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)及源、漏电极(4，5)，该GaN缓冲层采用侧面为凸字型的折叠型...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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