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本发明涉及一种氧化镓MOSFET及其制备方法，属于MOSFET器件技术领域。该氧化镓MOSFET，包括衬底、N型氧化镓导电层、N型重掺杂源区、N型重掺杂漏区、AlGaO晶体介质层、源极金属、漏极金属、栅极金属。本发明的氧化镓MOSFET是以...
该专利属于西安电子科技大学杭州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学杭州研究院授权不得商用。

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