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本发明涉及一种基于自终止刻蚀工艺的增强型器件及其制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底层的表面自下而上依次形成成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和GaN层，势垒层含有Al离子；S2：对栅极区域外的GaN层进行F离子注入，形成F离子注入层；S3：对...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

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