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本发明提供了一种硅晶片的刻蚀方法，包括：提供硅晶片；将硅晶片的一面涂覆光刻胶；对硅晶片进行紫外直写或者利用光刻对准机进行紫外曝光并利用具有图案的光刻板，使得光刻胶形成待刻蚀图案区域，包括无法被显影剂去除的至少一个柱状结构图案和对应的至少一个...
该专利属于杭州泰新微纳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州泰新微纳科技有限公司授权不得商用。

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