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本技术涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种温度检测电路。其包括齐纳二极管、若干电流源、若干电阻和若干三极管。其中，NPN型三极管Q0的基极连接分压电阻，构成了一个VBE0(三极管Q0基‑射电压)倍增电路，由于齐纳二极管电压具有良好的温度稳定...
该专利属于国硅集成电路技术（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国硅集成电路技术（无锡）有限公司授权不得商用。

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