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一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法技术
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文档序号:41456148
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本申请提供一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法,包括:衬底、超结结构、栅极结构、沟道结构、第一电极和第二电极。超结结构包括漂移层,漂移层为N型掺杂。栅极结构包括势垒层、栅极帽层、第一栅极和第二栅极。势垒层和漂移层接触用于形成...
该专利属于湖北九峰山实验室所有,仅供学习研究参考,未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。
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