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本发明公开了一种横向忆阻器的极性调控方法，该横向忆阻器由从下至上依次设置的衬底、阻变功能层、两端金属电极构成，所述阻变功能层材料为半导体二维材料。本发明的极性调控方法为控制等离子体对阻变功能层材料的处理程度，通过增强处理程度使器件的性能转变...
该专利属于昆山厦大创新中心所有，仅供学习研究参考，未经过昆山厦大创新中心授权不得商用。

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