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本发明涉及微电子器件技术领域，尤其涉及铁电场效应晶体管及其制备方法，包括衬底，所述衬底一侧设置有源极区和漏极区，衬底靠近源极区和漏极区的一侧表面由下至上依次设置有缓冲层、铁电层和栅极层，缓冲层设置于源极区和漏极区之间的衬底区域；所述缓冲层与...
该专利属于无锡九域瑞芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡九域瑞芯科技有限公司授权不得商用。

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