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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和生长方法，该生长装置包括坩埚和保温机构，该坩埚具有一腔室，腔室被配置为具有相互连通的晶体生长区和原料堆放区，原料堆放区位于晶体生长区和坩埚的底壁之间；保温机构套设于坩埚的外部，...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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