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本发明提供一种集成电路关键尺寸的测量方法、系统及集成电路，涉及半导体技术领域，所述测量方法包括：测量集成电路中特征结构的初始尺寸，所述初始尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之前的尺寸；测量所述特征结构的膜厚尺寸，所述膜厚尺寸表征所述特...
该专利属于深圳市辰中科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市辰中科技有限公司授权不得商用。

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