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本发明涉及一种集成顶部金刚石层和底部嵌入式微流结构的半导体器件，包括：晶体管结构、纳米键合层、金刚石层、若干连接金属和盖板。所述纳米键合层将所述金刚石层键合在所述晶体管结构的上表面；所述若干连接金属均从所述金刚石层的上表面延伸至所述晶体管结...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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