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本发明提供一种硅晶片，其包括：第一除杂区，其形成为具有自硅晶片的顶面的预定深度；和本体区域，其形成于第一除杂区与硅晶片的背面之间，其中第一除杂区形成为具有自顶面约２０微米至约８０微米的深度，并且其中本体区域中的氧浓度在整个本体区域中以１０％...
该专利属于美格纳半导体有限会社所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限会社授权不得商用。

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