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本发明公开了基于浪涌电流下的碳化硅MOSFET瞬态温升测量方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库，该校温曲线库数据包含碳化硅MOSFET体二极管的浪涌电流、电压以及温度；其次，基于浪涌电流测试平台，在不同的浪涌电流脉宽及幅值下，测得多个温...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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