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本发明公开了一种1T‑MoS2电极材料的制备方法，1T‑MoS2电极材料由多个纳米片规律堆叠形成形貌均一、分散均匀的纳米花球结构，其球体直径为3‑5μm，单个纳米片厚度为30‑60nm。其制备步骤如下：取适量钼源(NH4)6Mo7O24·4...
该专利属于苏州思蕴镁能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州思蕴镁能科技有限公司授权不得商用。

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