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本发明涉及一种制造包括置于多晶碳化硅载体衬底上的单晶碳化硅的有用层的复合结构的方法，方法包括：a)提供由多晶碳化硅制成的初始衬底的步骤，初始衬底具有正面并且在所述正面的平面中包括平均尺寸大于0.5μm的晶粒；b)在初始衬底上形成由多晶碳化硅...
该专利属于索泰克公司所有，仅供学习研究参考，未经过索泰克公司授权不得商用。

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