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本申请公开了一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中一种多结垂直腔面发射半导体发光结构包括：衬底；位于衬底一侧且依次堆叠设置的第一布拉格反射镜、谐振腔、第二布拉格反射镜、欧姆接触层和P面电极；谐振腔包括至少两个有源层，相邻的有源...
该专利属于苏州长光华芯光电技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州长光华芯光电技术股份有限公司授权不得商用。

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