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本申请公开了一种低接触电阻的GaN基器件及其制备方法。低接触电阻的GaN基器件包括：衬底、外延层、沟道层和含有Al组分氮化物的势垒层；外延层的两侧缘用以叠置源区部分、漏区部分，外延层的中间部用以叠置栅极，源区部分用以叠置源极，漏区部分用以叠...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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