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本公开涉及一种集成器件及其制备方法，该集成器件包括：衬底；设置在衬底上并产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；第一器件，包括第一电极、以及位于第一电极两侧的第二电极；第二器件，包括栅电极、以及位于栅电极两侧的源电极和漏电极；第一电极和所述...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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