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本发明涉及一种基于蓝宝石衬底的GaN器件及其制备方法，其中，制备方法包括以下步骤：S1：在蓝宝石材料上通过金属自掩膜工艺形成金属掩膜，并进行B离子注入，离子注入结束后去除所述金属掩膜，得到衬底层；S2：在所述衬底层上制备AlN成核层；S3：...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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