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本发明提出了一种石英腔内表面SIN膜的去除方法，包括以步骤：步骤1、持续注入含H基的等离子体，含H基的等离子体与SIN膜面生成悬挂键以实现对SIN膜改性，从而弱化SIN膜；步骤2、基于CHxFy和CF4的混合气体，持续注入混合气体的等离子体...
该专利属于上海稷以科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海稷以科技有限公司授权不得商用。

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