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一种半导体装置，包含化合物半导体通道层设置在基底上，且位于主动元件区和被动元件区，化合物半导体阻障层堆栈在化合物半导体通道层上，且位于主动元件区和被动元件区，源极电极、栅极电极和漏极电极，设置在化合物半导体阻障层上，且位于主动元件区，以构成...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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