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本发明公开了一种基于临界能量耗散率的AlN陶瓷基板可靠性评价方法，包括如下步骤：S1、选取AlN陶瓷基板试样；S2、测量AlN陶瓷基板试样的杨氏模量数据；S3、测量AlN陶瓷基板试样的维氏硬度数据；S4、测量AlN陶瓷基板试样的显微组织结构...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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