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本发明的目的在于提供在不丧失作为有源栅极的功能的状态下将温度感测二极管内置于沟槽的电力用半导体装置。电力用半导体装置(101)在有源区域(2)具有：p型基极层(9)，其形成于n型漂移层(13)之上；多个n型阱区域(8)，它们形成于p型基极层...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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