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本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中形成有栅极沟槽；位于所述栅极沟槽底部和侧壁的第一栅极介质层以及填满所述栅极沟槽的第一绝缘填充层；位于...
该专利属于飞锃半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞锃半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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