温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种具有Ｐ型浮空层的槽栅ＩＧＢＴ，属于半导体功率器件技术领域。本发明在积累层控制的沟槽栅绝缘栅双极型晶体管基础上引入了Ｐ型浮空层（１１），有效改善了槽栅底部的电场集中效应，大大提高了器件的击穿电压。同时，Ｐ型浮空层的存在引入了一个ＪＦＥＴ区...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。