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一种具有Ｐ型浮空层的载流子存储槽栅ＩＧＢＴ，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有载流子存储槽栅双极型晶体管基础上引入了Ｐ型浮空层（１３），使得载流子存储层几乎无需承受耐压，降低了正向导通压降；Ｐ型浮空层还改善了槽栅底部的电场集中效应，使...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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