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本发明提供一种SONOS结构中的隧穿氧化层结构，包括衬底；形成于衬底上的隧穿氧化层结构，隧穿氧化层结构由自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层、第二氧化层组成；氮化层的材料包括SiN和SiON，第一、二氧化层的材料为SiO2。本发明形成的隧穿...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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