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本发明提供一种半导体器件的形成方法及清洗液,清洗液用于清洗含有铝界面的沟槽,其中清洗液包括螯合剂、缓蚀剂、有机活性胺、偶极溶剂、极性溶剂以及水,利用螯合剂中两个以上的配位原子与含铝的残留物中的铝元素形成环状配合物即螯合物,再利用亲水基团的性...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种半导体器件的形成方法及清洗液,清洗液用于清洗含有铝界面的沟槽,其中清洗液包括螯合剂、缓蚀剂、有机活性胺、偶极溶剂、极性溶剂以及水,利用螯合剂中两个以上的配位原子与含铝的残留物中的铝元素形成环状配合物即螯合物,再利用亲水基团的性...