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本发明提供易失型阻变器件的耐久性优化制备方法及易失型阻变器件，涉及易失型阻变器件技术领域，所述方法包括：在衬底上形成第一电极层；在第一电极层上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光和显影以在第一电极层上形成图案区域；在图案区域上形成阻变层；在阻变层上...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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