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一种周期性振幅与脉宽调制时空能量生长单晶金刚石的方法，属于单晶金刚石技术领域。本发明在CVD单晶金刚石生长过程中施加脉宽周期递减的双向脉冲偏压电源，偏压的施加可以引导等离子体中的离子轰击金刚石表面，轰击效率更高，表面原子迁移能力更强，离子利...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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