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本发明公开了一种B位掺杂的BaTiO<subgt;3</subgt;基高熵介电陶瓷及其制备方法，属于无机电介质陶瓷领域。本发明所述无铅、高击穿场强、高储能效率的BaTiO<subgt;3</subgt;基高熵介电陶瓷...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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